Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties
TiO2薄膜制备及其氧敏特性

采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜，在不同温度下对薄膜进行退火，研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况．对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试，结果表明，在400℃下灵敏度随氧分压增加最快，并且在400℃具有最高的灵敏度．得到的激活能为0.41eV，并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论．