%0 Journal Article
%T Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties<br>TiO2薄膜制备及其氧敏特性
%A Dai Zhenqing
%A SUN Yicai
%A Pan Guofeng
%A Meng Fanbin
%A Li Guoyu
%A <br>戴振清
%A 孙以材
%A 潘国峰
%A 孟凡斌
%A 李国玉
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜，在不同温度下对薄膜进行退火，研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况．对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试，结果表明，在400℃下灵敏度随氧分压增加最快，并且在400℃具有最高的灵敏度．得到的激活能为0.41eV，并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论．
%K DC magnetron sputtering
%K thin films of titanium oxide
%K oxygen-sensing properties
%K activation energy<br>磁控溅射
%K TiO2薄膜
%K 氧敏特性
%K 激活能
%K 薄膜制备
%K 氧敏特性
%K Properties
%K Thin
%K Films
%K 可逆性
%K 器件特性
%K 激活能为
%K 氧分压
%K 灵敏度
%K 结果
%K 测试
%K 情况
%K 的转化
%K 退火温度
%K 晶体结构
%K 研究
%K 法制
%K 直流磁控溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=67979FD73D73CFEF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=90612DF06FCE4D55&eid=A5B34D9E8FDA439A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=15