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半导体学报 2005
Correlations Between MOS Structures'''' Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation
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Abstract:
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验，探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性. 研究结果表明，热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤，但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的，后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的. 进一步的研究表明，针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺，能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.
