%0 Journal Article
%T Correlations Between MOS Structures'''' Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation<br>MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性
%A Yu Xuefeng
%A Ren Diyuan
%A Erken
%A Zhang Guoqiang
%A Lu Wu
%A Guo Qi
%A <br>余学峰
%A 任迪远
%A 艾尔肯
%A 张国强
%A 陆妩
%A 郭旗
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验，探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性. 研究结果表明，热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤，但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的，后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的. 进一步的研究表明，针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺，能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.
%K hot-carrier injection
%K total dose radiation
%K correlation<br>热载子注入
%K 总剂量辐照
%K 相关性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=415871A8FF95630B&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=AB65A134F4ED2A2E&eid=EA437CDB73D9759D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12