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本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响.尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质,但发现Cu对氧沉淀行为没有影响,而Fe会明显增强氧的沉淀速率.实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇,与Si晶体生长后业已存在的微小氧沉淀物中的绝大多数没有相互作用;相反地,Fe杂质与微小氧沉淀物相互作用,形成高温下稳定的复合粒子,充当了氧沉淀的有效成核中心.
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