%0 Journal Article %T 直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响 %A 沈波 %A 杨凯 %A 张序余 %A 施洪涛 %A 张荣 %A 施毅 %A 郑有炓 %A 关口隆史 %A 角野浩二 %J 半导体学报 %D 1997 %I %X 本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响.尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质,但发现Cu对氧沉淀行为没有影响,而Fe会明显增强氧的沉淀速率.实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇,与Si晶体生长后业已存在的微小氧沉淀物中的绝大多数没有相互作用;相反地,Fe杂质与微小氧沉淀物相互作用,形成高温下稳定的复合粒子,充当了氧沉淀的有效成核中心. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F47CC61E337146E1&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7F5DDA4924737DF5&eid=AE09EACBCD1B2A13&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0