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Keywords: 应变量子阱,浅施主结合能,Ⅲ-Ⅴ族,半导体
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本文研究了介电常数失配对CdTe/ZnTe应变量子阱中浅施主杂质结合能的影响.在有效质量近似下,利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响,得到了介电失配使结合能减小的结论
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