%0 Journal Article
%T CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能
%A 刘魁勇
%A 邢金海
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究了介电常数失配对ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ应变量子阱中浅施主杂质结合能的影响．在有效质量近似下，利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响，得到了介电失配使结合能减小的结论
%K 应变量子阱
%K 浅施主结合能
%K Ⅲ－Ⅴ族
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBB1791B6C5A17C0&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=EDAEFEDAC1DCCBA4&eid=A9C78B2A6AAEEAAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2