采用SiO_2／Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究

镓杂质均可在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ秒中扩散，但棵Ｓｉ扩镓易在硅表面产生富镓合金点、凹坑和＂白霜＂，导致器件低、软的击穿等，为了清除表面缺陷对器件性能的影响，采用ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩镓进行了研究．经过实验和长期应用，这是克服表面影响的行之有效的方法．本文对二种扩散方式所产生的不同结果，进行了分析和讨论．