%0 Journal Article
%T 采用SiO_2／Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究
%A 刘秀喜
%A 赵富贤
%A 薛成山
%A 孙瑛
%A 华士奎
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 镓杂质均可在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ秒中扩散，但棵Ｓｉ扩镓易在硅表面产生富镓合金点、凹坑和＂白霜＂，导致器件低、软的击穿等，为了清除表面缺陷对器件性能的影响，采用ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩镓进行了研究．经过实验和长期应用，这是克服表面影响的行之有效的方法．本文对二种扩散方式所产生的不同结果，进行了分析和讨论．
%K 扩散
%K 二氧化硅
%K 硅
%K 镓
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A68C41E9229C2F4683&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=6CCE24D86D03D083&eid=C812B90E96151014&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=11&reference_num=2