%0 Journal Article
%T 适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型
%A 黄骁虎
%A 阮刚
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文基干决定载流子迁移率的晶格散射、电离杂质散射、表面粗糙散射等三种主要散射机制的考虑，提出了一个有较明确物理意义的精度和实用性兼顾的ＭＯＳＦＥＴ反型层中载流子迁移率半经验模型．模型适用的温度范围为５Ｋ～３７０Ｋ，沟道掺杂浓度范围为１e14ｃｍ－３－１e１８ｃｍ－３．模型的计算结果同实验数据符合很好．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1472498D81FE58F0&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=38B194292C032A66&sid=F1A8654ADB4E656E&eid=3E0812ED84A7B31D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0