超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究

本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．