%0 Journal Article
%T 超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究
%A 叶志镇
%A 姜小波
%A 袁骏
%A 李剑光
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=496FBEC2AE3518B6&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=A7AE820C12CC9AD3&eid=44FDB9366EDDFA2B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0