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Keywords: 二硅化钴,离子束外延,外延生长
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用质量分离的离子束外延(MALE-IBE或简作IBE)法在n-Si(111)上生长了CoSi2超薄外延膜.厚度为10~20nm的CoSi2薄膜的结构特性已由AES、RHEED及RBS作了研究.实验结果表明Co的淀积率对CoSi2单晶生长来说是一个关键因素
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