%0 Journal Article
%T CoSi_2超薄外延膜的生长研究
%A 姚振钰
%A 张国炳
%A 秦复光
%A 刘志凯
%A 张建辉
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素
%K 二硅化钴
%K 离子束外延
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C451E77B3B289EF5BF5&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=78F0EFE028BD3783&eid=4966445AEEBA9556&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5