固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质

本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1．02eV高频C-V和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果表明，在GaAs导带以下0．35eV附近存在着密度为1011／cm2的界面态，这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用．