%0 Journal Article
%T 固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质
%A 陈开茅
%A 张亚雄
%A 秦国刚
%A 金泗轩
%A 吴克
%A 李传义
%A 顾镇南
%A 周锡煌
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温度的指数函数，从中可以确定接触的有效势垒高度为1．02eV高频C-V和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果表明，在GaAs导带以下0．35eV附近存在着密度为1011／cm2的界面态，这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用．
%K 固体
%K 碳60
%K 砷化镓
%K n型
%K 接触电学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C94BE265BB86525CE1&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=09ABD5535D9B6D45&eid=80A07035DF96B0C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=8