AlGaAs／GaAs缓变异质结双极晶体管空间电行区中的复合电流

本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的分析模型．对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰，但也会大大增加空间电荷区中的复合，导致小电流情况下电流增益的明显下降．发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合，加剧电流增益的下降．因此在器件的设计和制作过程中，应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度，以减小空间电荷区中的复合电流，获得较好的器件特性．