%0 Journal Article
%T AlGaAs／GaAs缓变异质结双极晶体管空间电行区中的复合电流
%A 齐鸣
%A 李爱珍
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的分析模型．对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰，但也会大大增加空间电荷区中的复合，导致小电流情况下电流增益的明显下降．发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合，加剧电流增益的下降．因此在器件的设计和制作过程中，应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度，以减小空间电荷区中的复合电流，获得较好的器件特性．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=80ACD60A2B274E4F&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=EFD65B51496FB200&eid=F122871CC7EC92DC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0