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ISSN: 2333-9721
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Study of Hot-Carrier Effect in Short Channel DD MOSFET
NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

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Abstract:

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.

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Study of Hot-Carrier Effect in Short Channel DD MOSFETNMOS短沟DD结构热载流子效应的研究