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半导体学报 2004
Fabrication of GdSi2 Films by Ion-Beam Deposition
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Abstract:
采用离子束淀积方法制备了单相Gd Si2 薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的Gd Si2 相.样品在氩气氛中35 0℃,30 m in退火处理后,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,Gd Si2 的晶体质量变得更好
