%0 Journal Article
%T Fabrication of GdSi2 Films by Ion-Beam Deposition<br>离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
%A Li Yanli
%A Chen Nuofu
%A Zhou Jianping
%A Song Shulin
%A Yang Shaoyan
%A Liu Zhikai
%A <br>李艳丽
%A 陈诺夫
%A 周剑平
%A 宋书林
%A 杨少延
%A 刘志凯
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用离子束淀积方法制备了单相Gd Si2 薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的Gd Si2 相.样品在氩气氛中35 0℃,30 m in退火处理后,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,Gd Si2 的晶体质量变得更好
%K ion
%K beam deposition
%K X
%K ray diffraction
%K gadolinium disilicide<br>离子束淀积
%K X射线衍射
%K GdSi
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6505E311011012D5&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8115E88DD41C4B46&eid=997CCAFE43D4D200&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16