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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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GaN1-xPx Ternary Alloy Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
Chen Dunjun, Bi Zhaoxia, Shen Bo, Zhang Kaixiao, Gu Shulin, Zhang Rong, Shi Yi, Hu Liqun, Zheng Youdou, Sun Xuehao, Wan Shouke, Wang Zhanguo,
陈敦军, 毕朝霞, 沈波, 张开骁, 顾书林, 张荣, 施毅, 胡立群, 郑有炓, 孙学浩, 万寿科, 王占国
Keywords: in,situ composite,microstructure,mechanical properties,reinforcement mechanism
GaN1-xPx,MOCVD,化学态,红移
Abstract:
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 . Full-Text
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