%0 Journal Article
%T GaN1-xPx Ternary Alloy Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition<br>GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
%A Chen Dunjun
%A Bi Zhaoxia
%A Shen Bo
%A Zhang Kaixiao
%A Gu Shulin
%A Zhang Rong
%A Shi Yi
%A Hu Liqun
%A Zheng Youdou
%A Sun Xuehao
%A Wan Shouke
%A Wang Zhanguo
%A <br>陈敦军
%A 毕朝霞
%A 沈波
%A 张开骁
%A 顾书林
%A 张荣
%A 施毅
%A 胡立群
%A 郑有炓
%A 孙学浩
%A 万寿科
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .
%K in
%K situ composite
%K microstructure
%K mechanical properties
%K reinforcement mechanism<br>GaN1-xPx
%K MOCVD
%K 化学态
%K 红移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=89B5F3FE4749FEEA&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B75DC817262E20A8&eid=141C24EC1980F602&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8