Deposition and Characterization of AlN Thin Films on Silicon
硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法，在Si(100)，Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜．用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析，通过优化工艺参数，得到了提高薄膜择优取向的方法，并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理．制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性，摇摆曲线的半高宽达到5.6°．