硅1．3～1．6μm电光强度调制器探索

本文采用等离子体色散效应和大注入效应，通过ＥＰＷ各向异性腐蚀的方法，在外延硅芯片上刻蚀出脊形单波导，并采用纵向Ｐ＋ｎ结结构，对硅１．３～１．６μｍ电光强度调制器进行了初步研究，在注入电流密度为１．７×１０４Ａ／ｃｍ村时，调制深度为９０％．最后通过有限元法对横向ｐ＋ｎ结大注入进行分析，提出了提高空穴时间利用率的措施．