%0 Journal Article
%T 硅1．3～1．6μm电光强度调制器探索
%A 赵策洲
%A 刘育梁
%A 李国正
%A 刘恩科
%A 高勇
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文采用等离子体色散效应和大注入效应，通过ＥＰＷ各向异性腐蚀的方法，在外延硅芯片上刻蚀出脊形单波导，并采用纵向Ｐ＋ｎ结结构，对硅１．３～１．６μｍ电光强度调制器进行了初步研究，在注入电流密度为１．７×１０４Ａ／ｃｍ村时，调制深度为９０％．最后通过有限元法对横向ｐ＋ｎ结大注入进行分析，提出了提高空穴时间利用率的措施．
%K 电光强度调制器
%K 硅
%K 调制器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290738CF6F532893ABAA3&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=69E4C201C13601F9&eid=4133DDB79B497495&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1