Damage and Secondary Defect Distribution and Carrier Profile of 150keV As~+-Implanted Silicon in <100> Channeling Direction
As~+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征

用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2~+双空位单受主H_(72)(0.21)外,还测到其它四个能级H_0(0.56)、H_3(0.47)、H_6(0.25)、H_(73)(0.15).此外,在注B~+样品中还测到H_1(0.57)、H_2(0.53),在注P~+样品中有三个能级H_2~＇(0.61)H_(71)~＇(0.20)、H_8~＇(0.11),其中H_8~＇浓度很小.在600℃退火后,缺陷浓度均在10~(13)cm-~(-3)以下或者完全消失.与已有的工作比较,本文所测得的各种缺陷有较高的退火温度.