Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5e5Rad(Si) ,能较好地满足军用和航天领域的要求