%0 Journal Article
%T Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM<br>CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验
%A Liu Xinyu
%A Liu Yunlong
%A Sun Haifeng
%A Wu Dexin
%A He Zhijing
%A Liu Zhongli
%A <br>刘新宇
%A 刘运龙
%A 孙海锋
%A 吴德馨
%A 和致经
%A 刘忠立
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5e5Rad(Si) ,能较好地满足军用和航天领域的要求
%K CMOS/SOI 4Kb
%K SRAM
%K total
%K dose radiation hardness<br>CMOS/SOI4Kb
%K SRAM
%K 抗总剂量辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=84BF905AD49F0AD3&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=527AEE9F3446633A&eid=CEC789B3C68C3BB3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5