|
半导体学报 1994
Si NIPI 结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁Abstract: 我们对不同光照条件下SiNIPI结构的光伏效应进行了研究,并在正面光照时作了外加He-Ne激光连续照射前后的对比实验.结果表明,SiNIPI结构中存在Brum等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应,并且进一步从实验上证实了NIPI结构光伏极性是空间固定的.对外加激光连续照射前后结果的分析表明,SiNIPI结构的光伏效应中,实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用,而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁.
|