%0 Journal Article
%T Si　NIPI　结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁
%A 罗昌平
%A 江德生
%A 李锋
%A 庄蔚华
%A 李玉璋
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从实验上证实了ＮＩＰＩ结构光伏极性是空间固定的．对外加激光连续照射前后结果的分析表明，ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应中，实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用，而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5B7EA7B8FFA0FBDA0AA955636F32DBE5&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=80A07035DF96B0C4&eid=0D0D661F0B316AD5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0