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ISSN: 2333-9721
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淀积参数对ITO膜电阻率的影响

Keywords: 半导体膜,氧化铟锡,电阻率,淀积

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Abstract:

本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。

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