%0 Journal Article
%T 淀积参数对ITO膜电阻率的影响
%A 张怀武
%A 许武毅
%A 过壁君
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文研究了基体偏压、氧分压强和淀积后退火对ITO膜电阻率的影响,通过比较理论结果和实验结果,弄清了这几个参数影响ITO膜电阻率的机理,并确定出最佳镀制参数。
%K 半导体膜
%K 氧化铟锡
%K 电阻率
%K 淀积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=36EF66D5461F44F0&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=1B97AE5098AEB49C&eid=31611641D4BB139F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0