H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用

在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出的a-SiTFT矩阵，其性能得到明显改善．