%0 Journal Article
%T H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用
%A 赵颖
%A 熊绍珍
%A 孟志国
%A 代永平
%A 周祯华
%A 姚伦
%A 张建军
%A 孙钟林
%A 徐温元
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出的a-SiTFT矩阵，其性能得到明显改善．
%K 开关器件
%K H处理
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=100812F2294FE799&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=9FFCC7AF50CAEBF7&eid=BFE7933E5EEA150D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2