自组织生长InAs量子点发光的温度特性
吕振东,
杨小平,
袁之良,
徐仲英,
郑宝真,
许继宗,
陈弘,
黄绮,
周均铭,
王建农,
王玉琦,
葛惟昆
Keywords: 自组织生长,砷化铟,量子点发光,温度特性
Abstract:
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
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