自组织生长InAs量子点发光的温度特性
吕振东,
杨小平,
袁之良,
徐仲英,
郑宝真,
许继宗,
陈弘,
黄绮,
周均铭,
王建农,
王玉琦,
葛惟昆
Keywords: 自组织生长,砷化铟,量子点发光,温度特性
Abstract:
本文报道InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12~150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程.
Full-Text