%0 Journal Article
%T 自组织生长InAs量子点发光的温度特性
%A 吕振东
%A 杨小平
%A 袁之良
%A 徐仲英
%A 郑宝真
%A 许继宗
%A 陈弘
%A 黄绮
%A 周均铭
%A 王建农
%A 王玉琦
%A 葛惟昆
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
%K 自组织生长
%K 砷化铟
%K 量子点发光
%K 温度特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=819247150CB1656E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8225A9F184D4F1CA&eid=6920A1020E13BE87&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3