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半导体学报 2004
Temperature Rise of InP Heated by CW CO2 Laser Locally
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Abstract:
用聚焦连续波CO2 激光束对n型In P基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对In P基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所要求的温度上升.增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求,但温度的稳定性较差.采用研制的温度控制系统,可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升
