%0 Journal Article
%T Temperature Rise of InP Heated by CW CO2 Laser Locally<br>InP基片在连续波CO_2激光局域加热时的温度上升特性
%A Wu Yunfeng
%A Ye Yutang
%A Wu Zeming
%A Yang Xianming
%A Qin Yuwei
%A <br>吴云峰
%A 叶玉堂
%A 吴泽明
%A 杨先明
%A 秦宇伟
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 用聚焦连续波CO2 激光束对n型In P基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对In P基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所要求的温度上升.增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求,但温度的稳定性较差.采用研制的温度控制系统,可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升
%K InP
%K laser assisted microprocessing
%K laser induced temperature rise<br>InP
%K 激光微细加工
%K 激光诱导温度上升
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2B610BACC46F5A06&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=7A7A8B1000B9FF84&eid=40700C9CB4E84E3B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=10