Annealing Characteristics of PMOS Dosimeters
PMOS剂量计的退火特性
FAN Long,
REN Di,
|yuan,
ZHANG Guo,
|qiang,
YAN Rong,
|liang,
Erkin,
范隆,
任迪远,
张国强,
严荣良,
艾尔肯
Keywords: dosimeter,PMOS,annealing
剂量计,PMOS,退火特性
Abstract:
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;用模型讨论了实验结果
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