%0 Journal Article
%T Annealing Characteristics of PMOS Dosimeters<br>PMOS剂量计的退火特性
%A FAN Long
%A REN Di
%A |yuan
%A ZHANG Guo
%A |qiang
%A YAN Rong
%A |liang
%A Erkin
%A <br>范隆
%A 任迪远
%A 张国强
%A 严荣良
%A 艾尔肯
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;用模型讨论了实验结果
%K dosimeter
%K PMOS
%K annealing<br>剂量计
%K PMOS
%K 退火特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6AC600EF1AAAFC99&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=663FF78B2ADE7A2D&eid=117BC32987199759&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=7