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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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High Quality GaN Grown by GSMBE
GSMBE生长的高质量氮化镓材料
SUN Dian, |zhao, WANG Xiao, |liang, WANG Jun, |xi, LIU Hong, |xin, LIU Cheng, |hai, ZENG Yi, |ping, LI Jin, |min, HOU Xun, LIN Lan, |ying,
孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英
Keywords: GaN,MBE
氮化镓,分子束外延
Abstract:
使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6′,室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3e17cm-3. Full-Text
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