%0 Journal Article
%T High Quality GaN Grown by GSMBE<br>GSMBE生长的高质量氮化镓材料
%A SUN Dian
%A |zhao
%A WANG Xiao
%A |liang
%A WANG Jun
%A |xi
%A LIU Hong
%A |xin
%A LIU Cheng
%A |hai
%A ZENG Yi
%A |ping
%A LI Jin
%A |min
%A HOU Xun
%A LIN Lan
%A |ying
%A <br>孙殿照
%A 王晓亮
%A 王军喜
%A 刘宏新
%A 刘成海
%A 曾一平
%A 李晋闽
%A 侯洵
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6′,室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3e17cm-3.
%K GaN
%K MBE<br>氮化镓
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D11FF58BF43181F0&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=19402779123D7C0E&eid=00B9006659EBD8AC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=7