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半导体学报 2002
An Accurate Large-Signal Capacitance Model for RF Power Measurement and Physical Analysis on 4H-SiC MESFET
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Abstract:
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 ,因而适合于大信号的电路设计与优化
