%0 Journal Article
%T An Accurate Large-Signal Capacitance Model for RF Power Measurement and Physical Analysis on 4H-SiC MESFET<br>基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型
%A Yang Lin''''an
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A <br>杨林安
%A 张义门
%A 张玉明
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 ,因而适合于大信号的电路设计与优化
%K 4H
%K SiC
%K RF power MESFET
%K nonlinear large
%K signal model
%K capacitance model<br>4H-SiC
%K 射频功率MESFET
%K 非线性大信号模型
%K 电容模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=24056C2F61723CE8&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=847B14427F4BF76A&eid=C29816B2656377A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=9