高纯GaAs的非线性伏安特性

报道了４．２Ｋ下Ｎ型高纯ＭＢＥＧａＡｓ的非线性伏安（Ｉ－Ｖ）特性．在第一个Ｓ形负阻区的高场侧，发现了另外三个Ｓ形负阻区．建立了新的产生－复合模型，给出了多个负阻现象的微观物理机制．进一步的实验结果表明，非线性Ｉ－Ｖ特性的滞后现象与外电场变化的历史有关．