%0 Journal Article
%T 高纯GaAs的非线性伏安特性
%A 陈忠辉
%A 刘普霖
%A 史国良
%A 陆卫
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 报道了４．２Ｋ下Ｎ型高纯ＭＢＥＧａＡｓ的非线性伏安（Ｉ－Ｖ）特性．在第一个Ｓ形负阻区的高场侧，发现了另外三个Ｓ形负阻区．建立了新的产生－复合模型，给出了多个负阻现象的微观物理机制．进一步的实验结果表明，非线性Ｉ－Ｖ特性的滞后现象与外电场变化的历史有关．
%K 砷化镓
%K 非线性
%K I－V特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A6F70D79D2BCD0D8&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=23410D0BDB501DF5&eid=315A3D008C6ECFC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0