SOI定向耦合器研制

本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．