%0 Journal Article
%T SOI定向耦合器研制
%A 赵策洲
%A 李国正
%A 刘恩科
%A 刘西钉
%A 高勇
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．
%K 定向耦合器
%K SOI
%K 耦合器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AC82A833D25325AE&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=635968EA203846B7&eid=90EAFEE49150CFCD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6